我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT45W4MW16BCGB-701 WT TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统寻找一颗既能高速运行又易于集成的内存核心吗？MT45W4MW16BCGB-701 WT TR就是您期待的解决方案。这颗64Mb并行PSRAM芯片，采用先进的伪SRAM技术，为您提供4M x 16位的高效存储空间，让您的设备能够轻松应对实时数据缓存、图像处理、复杂算法运算等苛刻任务。

它拥有70ns的快速访问时间，确保数据读写流畅无延迟；1.7V~1.95V的低电压供电，显著降低系统功耗，延长设备续航。其宽温工作特性（-30°C至85°C）和54-VFBGA紧凑封装，让您能够自信地将其部署在各种严苛环境和空间受限的设计中，全面提升产品的性能与可靠性。

• 型号:MT45W4MW16BCGB-701 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
• MT45W4MW16BCGB-701 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。