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还在为高速缓存和缓冲区应用的性能瓶颈而烦恼吗？MT44K32M36RB-083F:A就是您期待的解决方案。这颗美光RLDRAM 3芯片，专为需要极致带宽和超低延迟的场景打造，它能以1200MHz的高速和6.67ns的迅捷访问，让您的数据吞吐效率飙升，轻松应对网络通信、高端测试设备中的密集数据流挑战。

它为您提供1.125Gb（32Mb x 36）的并行存储容量，配合1.28V~1.42V的低功耗供电，在提升系统响应速度的同时，也兼顾了能效。其表面贴装的168-TBGA封装和宽温工作特性，让集成更简便，运行更稳定可靠。选择它，就是选择让您的核心设备拥有一个强大、高效且值得信赖的数据交换枢纽。

• 型号:MT44K32M36RB-083F:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:32M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:6.67 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M36RB-083F:A，Micron（美光）产品一站式供应商。