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MT47H64M8CF-25E L:G TR 零件图片(仅供参考)

MT47H64M8CF-25E L:G TR
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MT47H64M8CF-25E L:G TR 规格参数

还在为嵌入式系统的数据带宽和响应速度发愁吗?让MT47H64M8CF-25E L:G TR来为您解决!这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM芯片,就像您系统中的一个高速数据中转站,能以高达400MHz的速度并行处理数据,访问时间快至400ps。这意味着它能轻松满足工业控制、网络通信、高端仪器等应用对实时性和大容量缓冲的严苛要求。

它采用1.8V标准供电和60-TFBGA紧凑封装,在提供强劲性能的同时,兼顾了能效与空间利用率。其宽温特性确保在0°C至85°C的环境下稳定工作,让您的产品在各种场景中都值得信赖。选择它,就是为您的核心设计注入一颗经过市场千锤百炼的“强心剂”,让系统运行更高效、更流畅。

  • 型号:MT47H64M8CF-25E L:G TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:64M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • MT47H64M8CF-25E L:G TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT47H64M8CF-25E L:G TR 基本参数:

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