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它采用先进的低功耗设计，工作电压低至0.6V/1.1V，在提供澎湃性能的同时，显著延长了设备的续航时间。其宽广的-40°C ~ 95°C工作温度范围和可靠的200-WFBGA封装，确保了在各种严苛环境下的稳定运行，让您的产品设计更具韧性与竞争力。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、可靠且节能的“超级大脑”。

• 型号:MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。