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还在为系统数据吞吐速度而焦虑吗？MT44K16M36RB-107E:A TR就是您期待的答案。这颗576Mb并行DRAM芯片，能为您的高速应用提供强大的数据缓存与交换能力。其933MHz的高时钟频率与仅8ns的快速访问时间，意味着它能几乎实时地响应处理器的需求，让您的设备运行如飞，彻底告别数据等待的延迟感。

它采用16M x 36的宽位并行架构，如同为数据流开辟了一条宽阔的高速公路，让海量信息得以高效、同步地传输。无论是处理复杂的网络数据包，还是加速图形渲染与科学计算，它都能轻松胜任，显著提升整体系统性能。选择它，就是为您的核心设计注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:MT44K16M36RB-107E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K16M36RB-107E:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。