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还在为设备运行速度不够快而烦恼吗？MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR就是您期待的答案。这颗美光科技的4Gb LPDDR4移动DRAM，能以高达2.133GHz的疾速时钟频率处理数据，让您的应用程序加载更快，多任务切换更流畅，彻底告别卡顿等待，为用户带来行云流水般的极致体验。

它专为高性能移动和嵌入式设备而生。其128M x 32的位宽架构，提供了强大的数据吞吐能力，无论是驱动高分辨率显示、运行大型3D游戏，还是进行复杂的AI运算，都能轻松应对。同时，先进的低电压设计（0.6V/1.1V）和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 125°C），让您的产品在保持高效能的同时，兼具出色的能效比与非凡的环境适应性。

• 型号:MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。