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还在寻找一颗能完美平衡性能、功耗与可靠性的存储解决方案吗？MT48H8M16LFF4-10 IT就是您期待的答案。这颗128Mb并行移动低功耗SDRAM，能以高达104MHz的速度高效处理数据，7ns的极速访问时间让系统响应毫无迟滞，显著提升整体运行效率。

它专为严苛环境设计，宽广的工作温度范围让您的设备无惧酷暑与严寒。同时，其低至1.7V的供电电压，能大幅降低系统功耗，延长电池寿命，是便携式与嵌入式应用的节能利器。紧凑的54-VFBGA封装，更能帮助您轻松实现高密度的电路板布局，让产品设计更精巧、更具竞争力。

• 型号:MT48H8M16LFF4-10 IT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（8x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:104 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:7 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（8x8）
• MT48H8M16LFF4-10 IT，Micron（美光）产品一站式供应商。