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您正在寻找一颗能承载海量数据、驱动系统性能飞跃的核心存储芯片吗？MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR正是您期待的答案。这颗美光出品的1.5Tb（192GB）大容量NAND闪存，采用高效的并联接口，旨在让您轻松构建高密度、高吞吐的数据存储解决方案，无论是企业级SSD、数据中心缓存还是高性能计算存储，都能游刃有余。

它基于成熟的闪存技术，提供非易失性存储，确保数据安全可靠。2.5V至3.6V的宽电压支持和0°C至70°C的工作温度范围，赋予了它出色的环境适应性和系统兼容性。采用132-VBGA封装，适合表面贴装工艺，让您的生产集成过程更加高效顺畅。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1.5Tb
• 存储器组织:192G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。