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MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR 零件图片(仅供参考)

MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
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MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR 规格参数

还在寻找能让您的设备数据读写既快又稳的核心存储方案吗?MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存芯片,拥有256M x 16的组织结构,能通过高效的并行接口,让您的系统轻松实现高速、大容量的数据存取,显著提升整体运行效率。

它采用2.7V~3.6V宽电压设计,并能在-40°C至85°C的极端温度范围内稳定工作,确保您的产品无论是在炎热的户外设备还是严寒的工业环境中,都能可靠运行,数据安全无忧。其63-VFBGA小型化封装和表面贴装特性,让您能更灵活地进行PCB设计,轻松集成到空间受限的各类嵌入式应用中,是打造高性能、高可靠性产品的智能存储之选。

  • 制造商产品型号:MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:4Gb(256M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:63-VFBGA
  • MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR 基本参数:

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