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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT40A256M16GE-083E AIT:B TR来为您打破枷锁！这颗来自美光科技的4Gb DDR4 SDRAM芯片，凭借其1.2GHz的高时钟频率和并联接口，能为您的高速处理器提供充沛的数据带宽，轻松应对实时数据处理、高清视频缓冲等苛刻任务。

它采用先进的工艺制程，工作电压仅需1.2V左右，在提升系统响应速度的同时，显著优化了整体功耗，让您的设备运行更高效、更节能。其坚固的96-TFBGA封装和宽达-40°C至95°C的工业级工作温度范围，确保了在振动、高温等恶劣环境下的稳定运行，是构建可靠工业自动化、通信基础设施及车载系统的理想存储基石。

• 型号:MT40A256M16GE-083E AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT40A256M16GE-083E AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。