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还在为嵌入式系统的内存性能瓶颈而烦恼吗？MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR就是您期待的答案。这颗1Gb容量的移动LPDDR SDRAM，能以高达200MHz的速度运行，配合32位的并行数据通道，为您构建起一个高速、宽带的临时数据交换中心，让您的主处理器能够毫无延迟地存取海量信息，彻底释放计算潜力。

它专为严苛应用而生。仅需1.7V至1.95V的低电压即可驱动，显著帮助您优化整体系统功耗，延长电池寿命。同时，其宽广的-40°C至105°C工作温度范围，让它能从容应对从工业到车载的各种极端环境挑战。选择它，就是为您的产品选择了一份高性能与高可靠性的双重保障，让您的设计脱颖而出。

• 型号:MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:32M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。