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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F 零件图片(仅供参考)

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F 规格参数

还在寻找一颗能同时搞定高速运行和可靠存储的“全能型”芯片吗?MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F正是为您而来的解决方案。它将美光4Gb NAND Flash与2Gb LPDDR2 DRAM集成于一身,让您的设备既能拥有海量的非易失存储空间来保存关键数据,又能借助高速内存实现流畅的实时运算与数据缓冲。

这颗芯片能为您做什么?它让您的设计化繁为简。1.8V的低压供电与533MHz的时钟频率,在保障高性能的同时显著优化能效比,特别适合对功耗敏感的可移动或嵌入式设备。无论是工业控制、汽车电子还是网络通信,它都能轻松应对复杂的数据处理任务,提升系统整体响应速度与可靠性。选择它,就是为您的产品注入一颗经过验证的、高效稳定的“智慧内核”。

  • 型号:MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:162-VFBGA(10.5x8)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失性,易失性
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2
  • 存储容量:4Gb(NAND),2Gb(LPDDR2)
  • 存储器组织:128M x 32(NAND),64M x 32(LPDDR2)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:162-VFBGA
  • 供应商器件封装:162-VFBGA(10.5x8)
  • MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F 基本参数:

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