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还在为系统数据吞吐速度而烦恼吗？让MT47H64M8CB-5E:B TR为您注入强劲动力！这颗美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片，凭借200MHz的高时钟频率和仅600ps的极快访问时间，能显著加速您的数据处理流程，让应用程序运行如飞，彻底告别卡顿与等待。

它采用高效的1.8V左右低电压运行，在为您提供卓越性能的同时，还能有效控制整体功耗，延长设备续航。其坚固的60-FBGA封装和宽温工作特性（0°C至85°C），确保在各种复杂环境下都能稳定可靠地工作，是您构建工业控制、网络通信、高端消费电子等应用的理想存储伙伴。

• 型号:MT47H64M8CB-5E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-5E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。