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您正在为高性能嵌入式系统寻找一颗强劲的“数据心脏”吗？MT49H32M9BM-25:B就是您期待的解决方案。这颗美光288Mb并行DRAM，能以高达400MHz的速度和20ns的极速响应，让您的系统数据处理能力飙升，轻松应对实时、高吞吐量的应用挑战。

它采用先进的低电压设计（1.7V-1.9V），有效降低系统功耗，并在0°C至95°C的宽温范围内稳定工作，确保您的设备在苛刻环境下依然可靠。紧凑的144-TFBGA封装更便于您实现高密度的电路板设计。选择它，就是为您的产品注入高效、稳定的存储动能。

• 型号:MT49H32M9BM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:32M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M9BM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。