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还在为系统运行卡顿、数据响应迟缓而烦恼吗？让MT41J512M4HX-125:D为您带来焕然一新的流畅体验。这颗来自美光科技的2Gb DDR3 SDRAM芯片，是您提升设备性能的得力助手。它以高达800MHz的时钟频率和仅13.75ns的访问时间飞速运转，能轻松应对海量数据的实时读写需求，让您的应用程序运行如飞。

它采用成熟的78-TFBGA封装和表面贴装技术，集成度高，易于在PCB上布局，能帮助您高效节省宝贵的板级空间。其宽电压（1.425V~1.575V）和宽温（0°C~95°C）的工作特性，更确保了在各种复杂环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或嵌入式系统注入一颗强劲、可靠的数据处理核心。

• 型号:MT41J512M4HX-125:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
• MT41J512M4HX-125:D，Micron（美光）产品一站式供应商。