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还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与工业级可靠性的存储芯片吗？MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存，采用先进的并联接口与83MHz时钟频率，能轻松应对数据密集型任务，让您的设备实现闪电般的读写体验，彻底告别卡顿与等待。

它为您提供高达128Gb（16G x 8）的海量非易失存储空间，确保重要数据在断电后依然安全无虞。其2.7V至3.6V的宽电压供电范围和0°C~70°C的工作温度，赋予了它出色的环境适应能力，无论是消费电子还是工业嵌入式应用，都能稳定高效运行。紧凑的152-VBGA封装更便于您进行高密度板卡设计，最大化利用每一寸空间。

选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的数据心脏。它能显著提升系统整体性能，让数据处理更流畅，用户体验更卓越，助您在激烈的市场竞争中牢牢占据技术制高点。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：83MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：152-VBGA
• MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。