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还在为嵌入式系统的数据存储需求寻找一颗可靠、高效且经济实惠的“大脑”吗？MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能为您提供稳定、高速的非易失性数据存储，让您的设备告别数据丢失的烦恼，实现快速启动和流畅运行。

它能在2.7V至3.6V的宽电压和-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作，让您轻松应对各种严苛的应用环境，无论是工业控制、汽车电子还是消费类产品。其表面贴装设计和灵活的包装选项，更能让您的生产流程高效顺畅，显著降低整体成本。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的品质保障。

• 型号:MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。