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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V32M16FN-5B:F为您注入强劲动力！这颗美光出品的512Mb并行DDR SDRAM，能以200MHz的高速时钟和700ps的快速访问，轻松驾驭海量数据的实时读写，显著提升您的设备响应速度与运行效率。

它采用成熟的2.5V~2.7V低电压设计，在保证高性能的同时兼顾能效。其32M x 16的位宽与容量配置，非常适合作为各类嵌入式系统、工业控制器及网络设备的核心缓存或主内存，让您的设计在稳定可靠的基础上，实现流畅高效的数据处理体验。

• 型号:MT46V32M16FN-5B:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16FN-5B:F，Micron（美光）产品一站式供应商。