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更令人印象深刻的是，它能在1.35V左右的低电压下高效工作，显著降低系统整体能耗，并具备从-40°C到105°C的宽温工作能力。这意味着，无论是户外严苛环境下的工业设备，还是对散热与空间有极高要求的嵌入式应用，它都能稳定运行，让您的产品设计更强大、更可靠。

• 型号:MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125 AAT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。