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MT29F128G08CBCEBJ4-37:E 零件图片(仅供参考)

MT29F128G08CBCEBJ4-37:E
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MT29F128G08CBCEBJ4-37:E 规格参数

还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗?MT29F128G08CBCEBJ4-37:E将彻底改变这一局面。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片,是专为高性能需求设计的存储引擎。其并联接口与267MHz的高时钟频率,能让您的系统实现极速的数据读写,大幅提升运行效率。

它能为您的产品做什么?简单说,就是让数据存储变得更大、更快、更稳。高达16GB的等效容量,让您可以轻松容纳复杂的操作系统、大量的媒体文件或持续的日志记录;宽电压范围支持则增强了在不同应用环境下的适应性。无论是智能工厂的工控机、车载智能终端,还是高端的网络设备,选择它,就是选择了一个让您安心、省心的高效数据核心。

  • 制造商产品型号:MT29F128G08CBCEBJ4-37:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:128Gb(16G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:267MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F128G08CBCEBJ4-37:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F128G08CBCEBJ4-37:E 基本参数:

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