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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M8BN-5B:F TR为您提速！这颗512Mb（64M x 8）的DDR SDRAM芯片，能以高达200MHz的时钟频率高效工作，其惊人的700ps访问时间和15ns的写周期，确保数据读写如行云流水，极大缓解您主处理器的数据压力。

它采用稳定的2.5V~2.7V供电和并联接口，兼容性广泛，能轻松集成到您的现有设计中。无论是用于程序扩展、媒体缓冲还是实时数据记录，它都能提供可靠的大容量存储支持，让您的设备运行更流畅、响应更迅捷。选择它，就是为您的系统选择了一位沉默而高效的数据伙伴。

• 型号:MT46V64M8BN-5B:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-5B:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。