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您正在寻找一颗能彻底激活系统性能的内存芯片吗？MT40A512M8RH-083E AAT:B TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的4Gb DDR4 SDRAM，凭借1.2GHz的高时钟频率和并行接口，能为您的高速计算平台提供巨大的数据带宽，让海量信息处理变得轻松而高效。

它能让您的设备实现极速的数据读写与交换，无论是处理复杂的图形渲染、运行实时数据库还是支撑高吞吐量网络传输，都能应对自如。其宽广的工业级温度适应范围（-40°C至105°C）和稳定的1.2V供电设计，确保了在各种严苛环境下长期可靠的运行，从根本上提升了您终端产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT40A512M8RH-083E AAT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。