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还在为系统数据带宽不足而困扰吗？MT49H8M36BM-33 IT:B TR就是您的高性能解决方案。这颗288Mb（8M x 36）并行DRAM，拥有高达300MHz的时钟频率，能为您的高速处理器提供源源不断的数据流，轻松应对大数据量的实时读写任务，让您的应用运行如飞。

它采用先进的1.8V左右低电压供电和144-TFBGA紧凑封装，不仅有效降低系统功耗，更能节省宝贵的电路板空间。其宽广的-40°C至85°C工作温度范围，确保了在工业、通信等严苛环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的核心设备选择了一个高效、耐用且省心的“数据仓库”。

• 型号:MT49H8M36BM-33 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-33 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。