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还在为寻找一款既能简化设计又能保证性能的存储器而烦恼吗？MT45V512KW16PEGA-55 WT TR就是您的理想答案。这颗美光PSRAM芯片能为您做什么？它本质上是一颗“即插即用”的高容量数据暂存中心，其创新的伪SRAM技术让您无需设计复杂的刷新电路，就能轻松获得8Mb（512K x 16）的可靠存储空间，极大降低了系统设计的复杂度和整体成本。

它能让您的设备运行得更快、更稳。55ns的快速访问与写入时间，确保了数据吞吐的高效流畅；2.7V~3.6V的宽电压支持，则赋予了产品更强的环境适应性和功耗优势。无论是用于工业控制器的实时数据处理，还是消费电子产品的缓存加速，它都能以卓越的并行接口性能，成为提升您产品竞争力的秘密武器。

• 型号:MT45V512KW16PEGA-55 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-VFBGA
• 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8）
• MT45V512KW16PEGA-55 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。