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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的“老兵”吗？MT29F2G08ABBEAH4:E正是这样一位久经沙场的可靠伙伴。这颗由美光科技打造的2Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口和低至1.7V的宽电压供电，让您的嵌入式系统能够以更低的功耗，实现稳定、快速的数据存取。

它能让您的设计过程更加高效。经典的63-VFBGA封装便于贴装，节省板卡空间；0°C至70°C的工作温度范围确保了在各种常见环境下的可靠性。无论是用于固件存储、日志记录还是用户数据保存，它都能轻松胜任，为您的产品提供一个坚实耐用的数据存储基石。

• 型号:MT29F2G08ABBEAH4:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABBEAH4:E，Micron（美光）产品一站式供应商。