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您需要一颗能为成熟系统提供坚实存储核心的芯片吗？M29W800DB45N6E正是这样一款经典之选。它是一颗8Mb容量的并行NOR闪存，能以高达45ns的极速让您的处理器访问代码与数据，确保系统响应迅捷如飞。其2.7V-3.6V的宽电压范围和-40°C至85°C的工业级工作温度，让您的产品能在各种苛刻环境中稳定运行，无惧挑战。

这颗芯片采用通用的并行接口和48-TSOP封装，让您的硬件设计轻松集成与生产。无论是用作微控制器的程序存储器，还是关键参数的存储单元，M29W800DB45N6E都能以美光科技一贯的高品质，为您的工业控制、汽车电子或通信设备等应用，提供持久可靠的数据基石，高效守护每一段重要信息。

• 型号:M29W800DB45N6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:45ns
• 访问时间:45 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29W800DB45N6E，Micron（美光）产品一站式供应商。