我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT47H256M8THN-3:H现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能够为您的成熟设备注入稳定动能的内存解决方案吗？MT47H256M8THN-3:H正是您理想的伙伴。这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM芯片，拥有333MHz的高效时钟和快速的访问时间，能显著提升系统的数据吞吐能力，让您的工业控制、网络通信或嵌入式设备运行如飞，轻松应对实时数据处理挑战。

它采用经典的并行接口和1.8V供电设计，不仅兼容性广泛，更能帮助您优化整体能效。其表面贴装的63-TFBGA封装，节省空间且坚固可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的稳定与高效，确保关键应用持续流畅运作。

• 型号:MT47H256M8THN-3:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H256M8THN-3:H，Micron（美光）产品一站式供应商。