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您正在寻找一颗能扛起数据存储重任的“老兵”吗？MT29F4G08ABCWC:C TR正是这样一位可靠伙伴。它是一颗4Gb容量、采用并行接口的NAND闪存芯片，能为您需要稳定固件存储、数据记录或配置保存的应用，提供一个坚实且高效的存储池。其512M x 8的架构，让数据存取井然有序。

这颗芯片能在1.7V到1.95V的电压下稳定工作，轻松适应常见的低功耗嵌入式环境。表面贴装的48-TSOP封装形式成熟可靠，让您的生产贴装流程高效顺畅。选择它，就是为您的成熟产品方案注入一份久经考验的稳定性，让您的设备运行更安心。

• 型号:MT29F4G08ABCWC:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F4G08ABCWC:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。