我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能海量存储又能极速响应的核心存储器而烦恼吗？MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR就是您的理想答案。这颗由美光科技出品的256Gb并行NAND闪存芯片，旨在让您的设备数据处理能力飞跃提升。其333MHz的高速时钟频率，确保大数据块能够被瞬间存取，彻底告别延迟，让您的应用运行如行云流水般顺畅。

它能为您的系统做什么？简而言之，它为您提供坚实可靠的数据基石。无论是用作嵌入式系统的主存储，还是高端设备中的缓存加速，其32G x 8的架构和并联接口都能轻松应对。宽电压范围（2.5V~3.6V）让它能适应多样的供电环境，确保稳定运行。选择它，就是选择了一种高效、省心的设计体验，让您能更专注于产品核心功能的创新与优化。

• 型号:MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。