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MT45W1MW16BAFB-856 WT TR 零件图片(仅供参考)

MT45W1MW16BAFB-856 WT TR
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MT45W1MW16BAFB-856 WT TR 规格参数

还在为嵌入式系统中的高速缓存或工作内存寻找最佳搭档吗?MT45W1MW16BAFB-856 WT TR就是您期待的答案。这颗16Mb容量的伪静态随机存储器,能为您提供类似SRAM的高速访问体验(访问时间仅85ns),同时兼具DRAM的高密度经济性。它让您的应用处理器或微控制器能够轻松、高效地处理大量临时数据和程序变量,显著提升系统响应速度。

其1.7V~1.95V的低电压供电特性,专为节能设计而生,能有效延长便携式设备的电池寿命。无论是驱动复杂的图形界面,还是应对突发的数据流,它都能提供稳定可靠的性能支撑。选择它,就是为您的产品选择了一个经过验证的、高性能的存储核心。

  • 制造商产品型号:MT45W1MW16BAFB-856 WT TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:PSRAM
  • 技术:PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量:16Mb(1M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:85ns
  • 访问时间:85ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
  • MT45W1MW16BAFB-856 WT TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT45W1MW16BAFB-856 WT TR 基本参数:

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