我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统需要同时配置独立的内存和闪存而烦恼吗？MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H为您提供了一站式的高效存储方案。它将1Gb NAND Flash与512Mb LPDDR2 DRAM创新性地集成于单颗121-ball BGA封装内，让您的设计瞬间简化，节省宝贵的板卡空间。

这颗芯片能让您的设备运行如飞。其LPDDR2部分提供高达533MHz的时钟频率，确保应用程序和数据的高速缓存与处理；而NAND Flash部分则为您安全持久地保存关键代码与数据。1.8V的低电压供电，不仅降低了系统整体功耗，更配合宽广的工作温度范围，让您的产品在各类严苛环境中都能稳定发挥，轻松应对从工业控制到智能硬件的多样化挑战。

• 型号:MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:121-VFBGA（8x7.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:1Gb（NAND），512Mb（LPDDR2）
• 存储器组织:128M x 8（NAND），32M x 16（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:121-WFBGA
• 供应商器件封装:121-VFBGA（8x7.5）
• MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H，Micron（美光）产品一站式供应商。