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您正在寻找一颗能扛得住时间考验、稳如磐石的存储核心吗？MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR正是这样一款经典之作。这颗美光科技的1Gb并行NAND闪存芯片，旨在为您提供简单、直接且高效的非易失性存储解决方案。它让您能够轻松存储多达128兆字节的关键数据，无论是系统代码、用户配置还是运行日志，都能在断电后完好保存，随时待命。

凭借其并联接口和宽电压（2.7V-3.6V）支持，它能无缝集成到您的现有系统中，简化设计难度。更令人放心的是其广阔的工业级温度适应性（-40°C至85°C），确保您的设备无论是在炎热的车间还是寒冷的户外，都能持续稳定运行，数据存取毫不动摇。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的可靠性与持久性。

• 型号:MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。