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还在寻找一颗能兼顾高性能与低功耗的可靠内存芯吗？MT41K256M16HA-107:E TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的4Gb DDR3L SDRAM芯片，采用先进的1.35V低电压设计，能在高达933MHz的频率下稳定运行，为您的高速处理器提供充沛且高效的数据带宽，同时显著降低系统整体能耗，让您的设备跑得更快、更冷静。

它拥有256M x 16的存储组织结构和并联接口，访问速度高达20ns，能够轻松应对工业控制、网络通信、嵌入式系统等领域中实时数据读写与缓存的严苛需求。其表面贴装的96-TFBGA封装形式，节省空间且坚固可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗经过市场长期验证的、稳定而强大的“数据心脏”，让复杂应用运行如丝般顺滑。

• 型号:MT41K256M16HA-107:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT41K256M16HA-107:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。