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MT40A512M8RH-083E AUT:B TR 零件图片(仅供参考)

MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
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MT40A512M8RH-083E AUT:B TR 规格参数

还在为系统运行卡顿、数据加载缓慢而烦恼吗?让MT40A512M8RH-083E AUT:B TR为您彻底解决这些难题!这颗美光出品的4Gb DDR4 SDRAM芯片,就像一个高效的数据中转站,能以高达1.2GHz的速度并行处理海量信息,瞬间响应您的每一个指令,让您的设备运行如飞。

它专为要求严苛的环境而生。无论是炎夏还是寒冬(-40°C至125°C工作温度),这颗芯片都能保持稳定高效的运行,让您的工业控制设备或汽车电子系统无惧环境挑战,始终可靠。其紧凑的78-TFBGA封装和低至1.14V的供电电压,更能帮助您轻松优化产品设计,在有限的板卡空间内实现强大的性能与出色的能效表现。

  • 型号:MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(9x10.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.2 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(9x10.5)
  • MT40A512M8RH-083E AUT:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT40A512M8RH-083E AUT:B TR 基本参数:

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