我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F256G08CKCABH2-10Z:A TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否在寻找一颗能承载海量数据、并确保高速稳定读写的核心存储芯片？MT29F256G08CKCABH2-10Z:A TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的256Gb NAND闪存，采用并联接口，能以高达100MHz的时钟频率高效运作，让您的设备轻松应对大数据流的读写挑战，瞬间提升系统响应速度。

它为您提供高达32G x 8的庞大存储空间，并支持2.7V至3.6V的宽电压范围，简化您的电源设计。无论是用于需要大量本地存储的智能终端，还是对数据可靠性要求极高的工业设备，它都能凭借其非易失特性和坚固的100-TBGA封装，确保数据安全无虞，助您构建更高效、更可靠的产品解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CKCABH2-10Z:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：100-TBGA
• MT29F256G08CKCABH2-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。