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还在为寻找一颗能扛起数据重担的可靠内存而烦恼吗？让MT41J512M8THD-187E:D成为您系统的“智慧仓库”。这颗4Gb容量的DDR3 SDRAM芯片，能以高达533MHz的速度与您的处理器高效对话，13.125ns的快速访问时间让数据调用瞬间完成，彻底释放您设备的性能潜力。

它采用标准的1.5V供电和78-TFBGA封装，让您能轻松集成到各种紧凑型设计中。无论是处理复杂的实时计算，还是缓冲海量的流媒体数据，它都能提供稳定、高速的并行数据通道，确保您的应用运行流畅无阻，体验极致高效。

• 型号:MT41J512M8THD-187E:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.125 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
• MT41J512M8THD-187E:D，Micron（美光）产品一站式供应商。