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MT49H32M18BM-25E:B 零件图片(仅供参考)

MT49H32M18BM-25E:B
Micron 订单到达,马上发货

MT49H32M18BM-25E:B 规格参数

还在寻找能瞬间提升系统数据吞吐能力的内存方案吗?MT49H32M18BM-25E:B正是您期待的答案。这颗576Mb容量的并行DRAM,凭借高达400MHz的时钟频率和闪电般的15ns访问时间,专为处理高速、高带宽任务而生。它能轻松应对海量数据的实时读写,让您的网络设备、工业控制系统或高端显示设备运行如飞,彻底告别数据瓶颈。

它采用高效的1.8V左右电压供电,在保证强劲性能的同时兼顾能效。宽达0°C至95°C的工作温度范围,让您的产品即使在苛刻环境下也能稳定运行。选择它,就是为您的核心应用配备了一个可靠且高效的数据引擎,助您轻松构建更具竞争力的产品。

  • 型号:MT49H32M18BM-25E:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:144-BGA(18.5x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:DRAM
  • 存储容量:576Mb
  • 存储器组织:32M x 18
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:15 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:144-TFBGA
  • 供应商器件封装:144-BGA(18.5x11)
  • MT49H32M18BM-25E:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT49H32M18BM-25E:B 基本参数:

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