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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M16TG-75:A为您开启高效数据存取的新篇章。这颗1Gb并行DDR SDRAM，能以高达133MHz的时钟频率和仅750ps的极速访问时间，大幅提升您系统的实时响应能力与数据处理效率。

它专为需要高带宽和可靠性的应用而优化。其64M x 16的架构，让您能够轻松管理大容量数据流，无论是用于工业控制器的指令缓存、网络设备的包缓冲，还是消费电子产品的多媒体处理，都能游刃有余。2.3V~2.7V的低工作电压范围，更有助于您设计出更节能的产品。

选择它，就是为您的核心硬件选择了一位性能强大、稳定可靠的“数据伙伴”，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借流畅稳定的表现脱颖而出。

• 型号:MT46V64M16TG-75:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M16TG-75:A，Micron（美光）产品一站式供应商。