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它采用先进的低电压技术（1.283V-1.45V），在提供强劲性能的同时大幅降低功耗，让您的设备更节能、更环保。其宽温级特性（-40°C至125°C）确保了在极端环境下依然稳定可靠，无论是严苛的工业现场还是高速移动的车载系统，都能轻松应对，为您产品的耐用性和竞争力加上一道坚实的保险。

• 型号:MT41K256M8DA-125 AUT:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K256M8DA-125 AUT:K TR，Micron（美光）产品一站式供应商。