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MT46V128M4TG-75E:D 零件图片(仅供参考)

MT46V128M4TG-75E:D
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MT46V128M4TG-75E:D 规格参数

还在为嵌入式系统的数据缓存速度而焦虑吗?MT46V128M4TG-75E:D这颗512Mb DDR SDRAM芯片,就是为您提升系统响应能力的秘密武器。它以133MHz的时钟频率和750ps的极速访问时间,让您的设备能够轻松、高效地处理海量数据流,无论是实时指令还是缓冲信息,都能瞬间完成,彻底释放主处理器的潜力。

这颗芯片采用成熟的并联接口和2.3V~2.7V低电压设计,在提供稳定可靠的数据吞吐性能的同时,有效帮助您控制整体系统功耗。其紧凑的66-TSSOP表面贴装封装,让您能更灵活地进行PCB布局,优化空间利用。选择它,就是选择了一个经过市场千锤百炼的稳定核心,让您的产品在激烈的竞争中凭借流畅可靠的体验脱颖而出。

  • 制造商产品型号:MT46V128M4TG-75E:D
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR
  • 存储容量:512Mb(128M x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:133MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:750ps
  • 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:66-TSSOP (szeroko 0,400,10,16mm)
  • MT46V128M4TG-75E:D,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT46V128M4TG-75E:D 基本参数:

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