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还在为嵌入式系统寻找高速、稳定又经济的存储方案吗？MT45W2MW16BGB-708 AT这颗32Mb并行PSRAM芯片，正是为您量身打造的解决方案。它内部集成了刷新逻辑，让您无需复杂的外部电路，就能获得类似SRAM的简便接口和高达70ns的快速数据访问能力，极大地简化了您的硬件设计。

凭借1.7V~1.95V的低功耗特性和-40°C至105°C的宽温工作范围，它能轻松应对工业控制、汽车电子及物联网设备等严苛环境。选择它，就是选择了一种高效、可靠的数据缓存与处理方式，让您的系统运行更流畅，响应更迅速。

• 型号:MT45W2MW16BGB-708 AT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:32Mb
• 存储器组织:2M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
• MT45W2MW16BGB-708 AT，Micron（美光）产品一站式供应商。