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还在为嵌入式系统的数据吞吐效率而烦恼吗？让MT46V32M16TG-75E:C为您带来改变！这颗512Mb DDR SDRAM芯片，拥有133MHz的时钟频率和仅750ps的访问时间，能轻松应对高速数据读写需求，显著提升系统响应速度。

它采用32M x 16的并行架构，为您提供高效灵活的数据缓冲方案。2.3V~2.7V的低电压运行与工业级温度范围，确保了在各种环境下的稳定表现，让您的设计更可靠、更省心。选择它，就是为您的产品注入一颗久经考验的强劲“内存心脏”。

• 型号:MT46V32M16TG-75E:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V32M16TG-75E:C，Micron（美光）产品一站式供应商。