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还在为系统带宽瓶颈而烦恼吗？让MT41J512M8THD-15E:D为您带来改变！这颗美光出品的4Gb DDR3 SDRAM芯片，凭借667MHz的高时钟频率和并联接口，能为您的高速应用提供充沛的数据吞吐能力，轻松应对多任务并行处理的挑战。

它采用先进的78-TFBGA封装，节省宝贵的板级空间，同时其1.5V左右的标准工作电压和宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保了在各种环境下都能高效、稳定地运行。无论是加速您的网络设备、提升工业控制器的响应速度，还是增强存储系统的性能，它都是您实现设计目标的可靠伙伴。

选择它，就是选择了一份经过验证的稳定与高效，让您的产品在激烈的市场竞争中底气十足。

• 型号:MT41J512M8THD-15E:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
• MT41J512M8THD-15E:D，Micron（美光）产品一站式供应商。