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您正在寻找一颗能同时点燃设备性能并守护电池续航的“心脏”吗？MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR正是您期待的答案。这颗美光出品的16Gb Mobile LPDDR4 DRAM，以高达1866MHz的时钟频率，为您的高端移动设备注入澎湃数据流，让应用加载、多任务切换和图形处理变得无比迅捷流畅。

更令人心动的是，它在释放强大性能的同时，却保持着极致的冷静与高效。1.1V的低工作电压设计，显著降低了系统整体功耗，直接帮助您的产品延长电池寿命，提升用户体验。其表面贴装的200-WFBGA紧凑封装，让您能更灵活地优化设备内部空间，设计出更轻薄的下一代产品。选择它，就是选择了一个成熟、可靠的高性能内存解决方案，让您的设备在激烈的市场中轻松赢得速度与耐力的双重优势。

• 型号:MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:512M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。