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您正在寻找一颗能担当系统“记忆中枢”重任的闪存芯片吗？M29F400BT90N6T TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的4Mb并行NOR闪存，能以高达90ns的速度响应您的数据访问请求，无论是存储关键的系统引导代码，还是记录重要的运行参数，都能让您的设备启动更快、运行更稳。

它为您提供了灵活的组织方式（512K x 8位或256K x 16位），并能在4.5V至5.5V的宽电压范围和-40°C到85°C的工业级温度下稳定工作。这意味着您能轻松将其集成到各种严苛环境的设备中，从工业控制器到通信模块，确保数据存储的安全与可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的存储保障。

• 型号:M29F400BT90N6T TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:90ns
• 访问时间:90 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• M29F400BT90N6T TR，Micron（美光）产品一站式供应商。