我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT47H256M4B7-5E:A TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能提升系统响应速度、确保数据流畅存取的核心存储器吗？MT47H256M4B7-5E:A TR正是您的理想伙伴。这颗1Gb容量的DDR2 SDRAM芯片，凭借其256M x 4的架构与高达200MHz的时钟频率，能让您的设备实现快速的数据读写与高效的多任务处理，轻松应对实时性要求高的应用场景。

它采用先进的1.8V左右低电压运行，配合优异的功耗管理，在提升性能的同时有效控制能耗。其紧凑的92-VFBGA封装非常适合空间受限的设计，让您能更灵活地进行PCB布局。无论是用于工业控制、通信基础设施还是需要稳定内存支持的各种嵌入式系统，它都能提供可靠、高效的存储解决方案，助您的产品性能稳健发挥。

• 制造商产品型号：MT47H256M4B7-5E:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量：1Gb（256M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：600ps
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：92-VFBGA
• MT47H256M4B7-5E:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。