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它拥有30纳秒的极速访问时间，让数据读写如闪电般完成，极大提升系统整体响应效率。其宽广的-40°C至105°C工作温度范围及汽车级品质认证，确保它在车载电子、工业控制等关键场景中稳定运行。低至1.7V的供电电压，还能帮助您轻松优化系统功耗，设计出更节能高效的产品。

• 型号:MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:30ns
• 访问时间:30 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。