我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能承载您雄心壮志的存储核心吗？MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，专为应对数据密集型挑战而生，其并联接口和TLC技术能让您的设备实现高速、大容量的数据读写，轻松驾驭从4K视频缓存到大型数据库存储的各种任务。

它能在1.7V~1.95V的低电压下高效工作，显著优化系统功耗，让您的产品更节能、续航更持久。采用可靠的132-VBGA封装，适合表面贴装，帮助您简化生产流程，提升制造效率。选择它，就是为您的服务器、高端消费电子或工业设备注入一颗强劲、稳定且值得信赖的“数据心脏”。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。