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MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D 零件图片(仅供参考)

MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D
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MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D 规格参数

还在寻找能让您的移动设备“飞”起来的内存核心吗?MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D就是您期待的答案。这颗美光出品的24Gb LPDDR4芯片,以高达2133MHz的时钟频率,为您的高端智能手机、平板或便携设备注入澎湃数据动力,轻松应对大型应用、高清游戏和多任务处理的严苛需求。

它采用先进的移动低功耗设计,仅需1.1V供电,在提供极致带宽的同时,显著优化能效,有效延长终端设备的续航时间。其宽温特性(-30°C ~ 105°C)确保了在各种环境下的稳定可靠运行。选择它,就是选择让您的产品性能脱颖而出,为用户带来无延迟、更流畅的卓越体验。

  • 制造商产品型号:MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 24GBIT 2133MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:24Gb(384M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D 基本参数:

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