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还在为您的嵌入式系统寻找一个快速、可靠的“记忆仓库”吗？M29W400DB55N6正是您需要的解决方案！这颗由美光科技打造的4Mb并行NOR闪存芯片，能以55ns的极速访问时间，让您的MCU或处理器高效读取存储的程序代码与关键数据，显著提升系统启动速度和运行流畅度。

它为您提供灵活的x8或x16数据总线选择，并支持2.7V至3.6V的宽电压工作范围，让您的电源设计更加轻松。无论是面对工业控制的严苛环境（-40°C ~ 85°C），还是需要稳定存储的消费电子应用，它都能确保数据非易失，安全可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份经过时间考验的稳定性能。

• 型号:M29W400DB55N6
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29W400DB55N6，Micron（美光）产品一站式供应商。